Исследователи Фуданьского университета разработали микросхему, которая удерживает и считывает один электрон при комнатной температуре. Такая технология снизит энергопотребление устройств с искусственным интеллектом.
Современной оперативной памяти требуется около 200 тысяч электронов для хранения одного бита. Большой заряд помогает надежно различать ноль и единицу. Китайские ученые сократили это число до теоретического минимума.
Новая двумерная флеш-память получила название «Гуйи», что означает «возвращение к единому». Слой графена не дает электрону покинуть ячейку и одновременно усиливает его сигнал.
Разработчики добились напряжения в 0,5 вольта. Это примерно в десять раз выше результатов прежних опытов с одноэлектронной памятью.
Авторы считают, что технология позволит запускать крупные языковые модели на телефонах при меньшем расходе энергии. Устройства также смогут дольше сохранять сведения из разговора.
