В Гонконге создали первый в мире полупроводниковый модуль мощностью 1 МВт

полупроводниковый модуль

Инженеры Гонконгского университета разработали устройство на основе оксида галлия, которое выдерживает высокие электрические нагрузки и температуру свыше 250 градусов Цельсия. Технология будет полезна в энергетике, медицине и ускорителях частиц.

Полупроводники регулируют электрические потоки в самых разных приборах — от зарядок для телефонов до электромобилей. Обычно их производят из кремния, однако его физические возможности ограничены.

Оксид галлия выдерживает значительно более высокие напряжения, но плохо отводит тепло. Ученые решили эту проблему с помощью новой системы охлаждения и специального изоляционного слоя.

По данным исследователей, характеристики устройства более чем в 100 раз превышают показатели предыдущих разработок на основе аналогичных материалов. В перспективе его также смогут использовать в установках термоядерной энергетики.