Российские ученые обнаружили новый механизм быстрого переключения магнитного состояния материалов с помощью короткого лазерного импульса. По их словам, открытие станет основой для создания сверхбыстрых и энергоэффективных систем хранения данных.
Исследование провели специалисты Физико-технический институт имени А. Ф. Иоффе РАН. Они изучали антиферромагнетик — борат железа, перспективный материал для магнитной памяти.
Ученые показали, что лазерный импульс переводит вещество в кратковременное «скрытое» состояние, через которое происходит резкое изменение направления намагниченности. Этот этап длится доли микросекунды, но именно он обеспечивает быстрое и полное переключение магнитных моментов.
По данным авторов, такой подход меняет магнитное состояние быстрее и с меньшими энергозатратами, чем при использовании магнитного поля или электрического тока. Это открывает перспективы для создания более скоростных жестких дисков, элементов MRAM и других устройств магнитной памяти.
Фото: Александра Калашникова
