Китайские ученые создали более мелкие элементы микросхем с помощью оборудования предыдущего поколения, сообщает тайваньское издание DigiTimes.
При производстве современных чипов специальные установки с помощью света наносят на кремниевые пластины чрезвычайно маленькие элементы будущей микросхемы. Чем меньше эти элементы, тем больше транзисторов производитель может разместить на чипе и тем сложнее становится его изготовление.
Для производства наиболее передовых микросхем компании используют установки экстремальной ультрафиолетовой литографии (EUV). Они работают со светом с очень короткой длиной волны, который помогает формировать на пластине особенно мелкие элементы. Такие аппараты выпускает нидерландская компания ASML, однако Китай не может их закупать из-за экспортных ограничений.
Китайские исследователи вместо EUV применили более старую технологию глубокой ультрафиолетовой литографии (DUV). Она использует свет с большей длиной волны и обычно хуже подходит для формирования самых мелких элементов современных чипов.
Поэтому специалисты Китайской академии наук разработали предварительный технологический процесс с применением DUV для транзисторов нового поколения с архитектурой Gate-All-Around (GAA). Исследователи рассчитывают таким образом освоить технологические нормы менее трех нанометров, пишет издание со ссылкой на сотрудника Института микроэлектроники академии Е Тяньчуня.
Архитектура GAA предполагает, что управляющий электрод транзистора окружает проводящий канал со всех сторон. Такая конструкция помогает управлять током в очень маленьких транзисторах, ее используют при переходе к новым поколениям микросхем.
