Ученые нашли способ менять свойства материалов на атомном уровне с помощью особого наложения слоев. Технология ускорит развитие электроники нового поколения — от энергоэффективной памяти до систем, имитирующих работу человеческого мозга.
Метод разработала команда Университета Флиндерса (Австралия) совместно с коллегами из Сингапура. Он основан на формировании муаровых узоров — сверхтонкие слои материала накладывают друг на друга под небольшими углами, не совмещая их идеально.
Такое смещение меняет структуру вещества и придаеттему новые свойства. В результате получают материалы со сверхпроводимостью, а также с особыми изоляционными и проводящими характеристиками и сегнетоэлектричеством.
Такие материалы быстрее реагируют на внешние воздействия и потребляют меньше энергии, чем современные решения. Это делает их перспективными для создания более емкой памяти и новых вычислительных систем.
